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    onsemi Mosfet场效应管 NVTYS010N04CLTWG 起订1018个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTYS010N04CLTWG 起订1018个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1890}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTYS010N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€32W

    阈值电压:2.2V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:13A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.95W€10W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4128DY-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4128DY-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4128DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:435pF@15V

    连续漏极电流:10.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON2290 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON2290 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON2290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@50V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4141NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@24V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A€3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD3N60 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD3N60 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD3N60

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:56.8W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@1.25A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD530N15N3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD530N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:887pF@75V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:53mΩ@18A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA64EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA64EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA64EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H858NLT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H858NLT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H858NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€42W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:623pF@40V

    连续漏极电流:8.7A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K8CEATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K8CEATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@100V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H860NLWFTAG 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H860NLWFTAG 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H860NLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€42W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS034N15MC 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS034N15MC 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS034N15MC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€62.5W

    阈值电压:4.5V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:905pF@75V

    连续漏极电流:6.1A€31A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@13A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR310TRPBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR310TRPBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR310TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS034N15MC 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS034N15MC 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS034N15MC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€62.5W

    阈值电压:4.5V@70µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:905pF@75V

    连续漏极电流:6.1A€31A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@13A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P50D(T6RSS-Q) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P50D(T6RSS-Q) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P50D(T6RSS-Q)

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4.4V@1mA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.22Ω@3.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS034N15MC 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS034N15MC 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS034N15MC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€62.5W

    阈值电压:4.5V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:905pF@75V

    连续漏极电流:6.1A€31A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@13A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si4178DY-T1-GE3 起订12个装
    VISHAY Mosfet场效应管 Si4178DY-T1-GE3 起订12个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):Si4178DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€5W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU20N06A-TP 起订2个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU20N06A-TP 起订2个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU20N06A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N50ZT4G 起订916个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD04N50ZT4G 起订916个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":1246,"13+":9250,"14+":68500,"17+":74065}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD04N50ZT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:61W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:308pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@1.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4128DY-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4128DY-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4128DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:435pF@15V

    连续漏极电流:10.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7410 起订37个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7410 起订37个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7410

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@15V

    连续漏极电流:9.5A€24A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON2290 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON2290 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON2290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@50V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA64EP-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA64EP-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA64EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06T4 起订15个装
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06T4 起订15个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12NF06T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2362ES-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H860NLTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H860NLTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H860NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€42W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:610pF@40V

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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