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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：9mΩ@10A，10V
功率：30W
连续漏极电流：41A
输入电容：660pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
漏源电压：60V
栅极电荷：12nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
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输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C471NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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