品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:34W
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:35nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF @ 25V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:8 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:34W
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:35nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF @ 25V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:8 毫欧 @ 8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:2.1W,2.3W
栅极电荷:35nC @ 10V
连续漏极电流:20A,35A
阈值电压:2.5V @ 250µA
导通电阻:3.8 毫欧 @ 20A,10V
漏源电压:25V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
输入电容:2375pF @ 13V
类型:2 N 沟道(双)非对称型
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB40EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:34W
阈值电压:2.5V @ 250µA
导通电阻:8 毫欧 @ 8A,10V
连续漏极电流:30A(Tc)
栅极电荷:35nC @ 10V
输入电容:1900pF @ 25V
类型:2 N-通道(双)
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
库存: