采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD45P03-12_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3495pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：21000，"22+"：26560}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：21000，"22+"：26560}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：21000，"22+"：26560}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD45P03-12_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3495pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD45P03-12_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3495pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD45P03-12_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3495pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD45P03-12_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3495pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ40S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：68W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4140pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：9.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ40S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：68W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4140pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：9.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ40S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：68W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4140pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：9.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ40S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：68W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4140pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：9.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD45P03-12_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3495pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD45P03-12_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3495pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD45P03-12_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3495pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD45P03-12_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3495pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：21000，"22+"：26560}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5113PLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：10A€64A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD45P03-12_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3495pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD45P03-12_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：83nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3495pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
