品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA600CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:54.6mΩ@3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":27500,"20+":17500,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80μA
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2971}
包装规格(MPQ):360psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3634-AZ
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:散装
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80μA
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80μA
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":27500,"20+":17500,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:21W
阈值电压:4V@80μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":8287}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3634-Z-AZ
功率:20W€1W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:24W
阈值电压:3.5V@50μA
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2971}
包装规格(MPQ):360psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3634-AZ
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:散装
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA600CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:54.6mΩ@3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA600CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:54.6mΩ@3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"19+":27500,"20+":17500,"MI+":500}
规格型号(MPN):IPAN60R600P7SXKSA1
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:363pF@400V
类型:1个N沟道
阈值电压:4V@80μA
工作温度:-40℃~+150℃
漏源电压:650V
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
功率:21W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3
功率:13.6W
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:39mΩ@4.5A,10V
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:530pF@25V
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R600P7SXKSA1
栅极电荷:9nC@10V
漏源电压:650V
输入电容:363pF@400V
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:6A
阈值电压:4V@80μA
功率:21W
工作温度:-40℃~+150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3
功率:13.6W
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:39mΩ@4.5A,10V
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:530pF@25V
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":2971}
包装规格(MPQ):360psc
规格型号(MPN):2SK3634-AZ
栅极电荷:9nC@10V
类型:1个N沟道
阈值电压:4.5V@1mA
导通电阻:600mΩ@3A,10V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:270pF@10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: