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    栅极电荷: 9nC@10V
    类型: 1个N沟道
    工作温度: -55℃~+150℃
    当前匹配商品:10+
    商品信息
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPU80R2K0P7AKMA1 起订数10个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU80R2K0P7AKMA1 起订数10个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W

    阈值电压:3.5V@50μA

    栅极电荷:9nC@10V

    输入电容:175pF@500V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@940mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN4NF03L 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STN4NF03L 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN4NF03L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:50mΩ@10V,2A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318CDS-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318CDS-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:9nC@10V

    输入电容:340pF@20V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:42mΩ@10V,4.3A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU80R2K0P7AKMA1 起订数100个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU80R2K0P7AKMA1 起订数100个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W

    阈值电压:3.5V@50μA

    栅极电荷:9nC@10V

    输入电容:175pF@500V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@940mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318CDS-T1-GE3 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318CDS-T1-GE3 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:9nC@10V

    输入电容:340pF@20V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:42mΩ@10V,4.3A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K0P7ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K0P7ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R2K0P7ATMA1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W

    阈值电压:3.5V@50μA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:175pF@500V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@940mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K0P7ATMA1 起订数1000个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K0P7ATMA1 起订数1000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W

    阈值电压:3.5V@50μA

    栅极电荷:9nC@10V

    输入电容:175pF@500V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@940mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K0P7ATMA1 起订数500个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K0P7ATMA1 起订数500个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W

    阈值电压:3.5V@50μA

    栅极电荷:9nC@10V

    输入电容:175pF@500V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@940mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K0P7ATMA1 起订数100个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K0P7ATMA1 起订数100个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W

    阈值电压:3.5V@50μA

    栅极电荷:9nC@10V

    输入电容:175pF@500V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@940mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU80R2K0P7AKMA1 起订数500个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU80R2K0P7AKMA1 起订数500个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W

    阈值电压:3.5V@50μA

    栅极电荷:9nC@10V

    输入电容:175pF@500V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@940mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K0P7ATMA1 起订数10个
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K0P7ATMA1 起订数10个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W

    阈值电压:3.5V@50μA

    栅极电荷:9nC@10V

    输入电容:175pF@500V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@940mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318CDS-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318CDS-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2332

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2318CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@20V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:42mΩ@10V,4.3A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318CDS-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318CDS-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:2332

    规格型号(MPN):SI2318CDS-T1-GE3

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:1个N沟道

    漏源电压:40V

    导通电阻:42mΩ@10V,4.3A

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:5.6A

    输入电容:340pF@20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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