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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€30W
阈值电压：2.5V@200µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-60MSX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1368pF@30V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€56A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM220NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1454pF@30V
连续漏极电流：8A€35A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€57A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP15P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-60MSX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1368pF@30V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€56A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH11006NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€34W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€56A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€56A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€30W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006NL，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€30W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@30V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€56A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP15P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM220NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1454pF@30V
连续漏极电流：8A€35A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€57A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-60MSX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1368pF@30V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€56A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€56A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€27.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：905pF@30V
连续漏极电流：12.6A€36.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3853，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€56A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€57A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP15P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0703NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€44W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@30V
连续漏极电流：13A€57A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€27.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：905pF@30V
连续漏极电流：12.6A€36.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP15P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
