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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€27.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：905pF@30V
连续漏极电流：12.6A€36.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS4608LDN-T1-GE3
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栅极电荷：23nC@10V
输入电容：905pF@30V
连续漏极电流：12.6A€36.2A
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导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
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ECCN：EAR99
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输入电容：1.1nF@10V
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栅极电荷：23nC@10V
输入电容：905pF@30V
连续漏极电流：12.6A€36.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
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输入电容：1.1nF@10V
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导通电阻：12mΩ@10A，10V
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连续漏极电流：20A
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导通电阻：12mΩ@10A，10V
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功率：65W
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输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
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工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：20A
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包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：23nC@10V
功率：65W
工作温度：-55℃~+175℃
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连续漏极电流：20A
导通电阻：12mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：23nC@10V
功率：65W
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工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：3.3W€27.1W
输入电容：905pF@30V
连续漏极电流：12.6A€36.2A
漏源电压：60V
栅极电荷：23nC@10V
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阈值电压：3V@250μA
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€27.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：905pF@30V
连续漏极电流：12.6A€36.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
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