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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：72W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3565(Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22A10N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3565(Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
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输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3565(Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3700(F)
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22A10N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3700(F)
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：72W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：72W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：72W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22A10N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
