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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS2324
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功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS2324
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：1.2W
连续漏极电流：2A
输入电容：330pF@50V
导通电阻：280mΩ@2A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ANBON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
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库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
阈值电压：2.2V@250μA
功率：1.6W
漏源电压：100V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：5.3nC@10V
输入电容：302pF@50V
连续漏极电流：2.7A
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：105mΩ@10V，2.7A
阈值电压：2.2V@250μA
功率：1.6W
漏源电压：100V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
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