品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86150ET100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4065pF@50V
连续漏极电流:16A€128A
类型:N沟道
导通电阻:4.85mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86150ET100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4065pF@50V
连续漏极电流:16A€128A
类型:N沟道
导通电阻:4.85mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@20V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@9.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1078pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W€96.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:25.1A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W€96.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:25.1A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD15P10PLGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:2V@1.54mA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD15P10PLGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:2V@1.54mA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@11.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM40N10-30_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3345pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1078pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6675BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB110N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@740µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2635pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W€96.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:25.1A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR512DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W€96.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:25.1A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86150ET100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4065pF@50V
连续漏极电流:16A€128A
类型:N沟道
导通电阻:4.85mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1513,"23+":2541}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSB013NE2LXIXUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.8W€57W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@12V
连续漏极电流:36A€163A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E120ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: