首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    栅极电荷: 12nC@4.5V
    工作温度: -55℃~+150℃
    当前匹配商品:40+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    谷峰 Mosfet场效应管 3415A 起订53个装
    谷峰 Mosfet场效应管 3415A 起订53个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):3415A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订14个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订14个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 3415A 起订900个装
    谷峰 Mosfet场效应管 3415A 起订900个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):3415A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-GE3 起订数9000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-GE3 起订数9000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM2087-3/TR 起订44个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM2087-3/TR 起订44个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPM2087-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:750mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:1.182nF@10V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:108pF@10V

    导通电阻:34mΩ@4.5V,5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM2087-3/TR 起订41个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM2087-3/TR 起订41个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPM2087-3/TR

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:750mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:1.182nF@10V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:108pF@10V

    导通电阻:34mΩ@4.5V,5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 LDN2367T1G 起订18个装
    LRC Mosfet场效应管 LDN2367T1G 起订18个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):LDN2367T1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:100pF@10V

    导通电阻:16mΩ@4.5V,4.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 LDN2367T1G 起订1500个装
    LRC Mosfet场效应管 LDN2367T1G 起订1500个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):LDN2367T1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:100pF@10V

    导通电阻:16mΩ@4.5V,4.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 3415A 起订66个装
    谷峰 Mosfet场效应管 3415A 起订66个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):3415A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 3415A 起订300个装
    谷峰 Mosfet场效应管 3415A 起订300个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):3415A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 3415A 起订600个装
    谷峰 Mosfet场效应管 3415A 起订600个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):3415A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:44mΩ@4.5V,3.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订数100个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订数100个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:44mΩ@4.5V,3.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65UPEZ 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65UPEZ 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:317mW€8.33W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:634pF@6V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:72mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 3415A 起订76个装
    谷峰 Mosfet场效应管 3415A 起订76个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):3415A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订5869个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订5869个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":204000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 LDN2367T1G 起订100个装
    LRC Mosfet场效应管 LDN2367T1G 起订100个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):LDN2367T1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:100pF@10V

    导通电阻:16mΩ@4.5V,4.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65UPEZ 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65UPEZ 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:317mW€8.33W

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:634pF@6V

    漏源电压:12V

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:3.2A

    导通电阻:72mΩ@3.2A,4.5V

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8721TRPBF 起订数8000个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8721TRPBF 起订数8000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@25μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:1.04nF@15V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10V,14A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-GE3 起订数21000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-GE3 起订数21000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:31mΩ@4.5V,5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2312BDS-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:850mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:31mΩ@4.5V,5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 LDN2367T1G 起订3000个装
    LRC Mosfet场效应管 LDN2367T1G 起订3000个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):LDN2367T1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:100pF@10V

    导通电阻:16mΩ@4.5V,4.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订30个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN30UNH 起订30个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN30UNH

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:530mW€4.46W

    阈值电压:900mV@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订150000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV40UN2R 起订150000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV40UN2R

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:44mΩ@4.5V,3.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧