品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3415A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNH
工作温度:-55℃~+150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNH
工作温度:-55℃~+150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNH
工作温度:-55℃~+150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3415A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:850mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNH
工作温度:-55℃~+150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:850mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2087-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:750mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:1.182nF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个P沟道
反向传输电容:108pF@10V
导通电阻:34mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2087-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:750mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:1.182nF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个P沟道
反向传输电容:108pF@10V
导通电阻:34mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LDN2367T1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:6.3A
类型:2个N沟道
反向传输电容:100pF@10V
导通电阻:16mΩ@4.5V,4.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LDN2367T1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:6.3A
类型:2个N沟道
反向传输电容:100pF@10V
导通电阻:16mΩ@4.5V,4.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNH
工作温度:-55℃~+150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3415A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3415A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3415A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:44mΩ@4.5V,3.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:44mΩ@4.5V,3.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:317mW€8.33W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:634pF@6V
连续漏极电流:3.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:72mΩ@3.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):3415A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":204000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNH
工作温度:-55℃~+150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LDN2367T1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:6.3A
类型:2个N沟道
反向传输电容:100pF@10V
导通电阻:16mΩ@4.5V,4.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:317mW€8.33W
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:634pF@6V
漏源电压:12V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:3.2A
导通电阻:72mΩ@3.2A,4.5V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@25μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:1.04nF@15V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.5mΩ@10V,14A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNH
工作温度:-55℃~+150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
连续漏极电流:3.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:31mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:850mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
连续漏极电流:3.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:31mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LDN2367T1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:6.3A
类型:2个N沟道
反向传输电容:100pF@10V
导通电阻:16mΩ@4.5V,4.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30UNH
工作温度:-55℃~+150℃
功率:530mW€4.46W
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV40UN2R
工作温度:-55℃~+150℃
功率:490mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:44mΩ@4.5V,3.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: