采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3415A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3415A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM2087-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：750mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：1.182nF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
反向传输电容：108pF@10V
导通电阻：34mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM2087-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：750mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：1.182nF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
反向传输电容：108pF@10V
导通电阻：34mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3415A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3415A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3415A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：317mW€8.33W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：634pF@6V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：72mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3415A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：317mW€8.33W
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：634pF@6V
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：72mΩ@3.2A，4.5V
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：317mW€8.33W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：634pF@6V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：72mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：317mW€8.33W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：634pF@6V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：72mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：317mW€8.33W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：608pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：85mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：317mW€8.33W
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：634pF@6V
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3.2A
导通电阻：72mΩ@3.2A，4.5V
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
