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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H824NLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H824NLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H824NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@40V

    连续漏极电流:20A€110A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S214ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S214ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N06S214ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@80µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@32A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R165CPXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R165CPXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R165CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:3.5V@790µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0500NSIATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0500NSIATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0500NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@15V

    连续漏极电流:30A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846BDP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846BDP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€83.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2440pF@50V

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC0310AS-F127 起订385个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC0310AS-F127 起订385个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2633}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC0310AS-F127

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3165pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT3G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C628NLT3G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€110W

    阈值电压:2V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:28A€150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC074N15NS5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC074N15NS5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC074N15NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:4.6V@136µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@75V

    连续漏极电流:114A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H824NLWFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H824NLWFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H824NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@40V

    连续漏极电流:20A€110A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4011SPSQ-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4011SPSQ-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4011SPSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2747pF@20V

    连续漏极电流:11.7A€76A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L2R8ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L2R8ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB7N50APBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB7N50APBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIB7N50APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1423pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订2个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订2个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N05-11L_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N05-11L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2106pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@45A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S214ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S214ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N06S214ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@32A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L2R8ATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S5L2R8ATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S5L2R8ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2V@30µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R165CPATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R165CPATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R165CPATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:3.5V@790µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S214ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N06S214ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N06S214ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@32A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订2个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订2个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4011SPSQ-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4011SPSQ-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4011SPSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2747pF@20V

    连续漏极电流:11.7A€76A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC0310AS 起订393个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC0310AS 起订393个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2935}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC0310AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€36W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3165pF@15V

    连续漏极电流:19A€21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8447L 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8447L 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8447L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€44W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.97nF@20V

    连续漏极电流:15.2A€50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10V,14A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB11N60TM 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB11N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF11N60F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF11N60F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF11N60F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC0310AS-F127 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC0310AS-F127 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC0310AS-F127

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3165pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF11N60T 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF11N60T 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF11N60T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC074N15NS5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC074N15NS5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC074N15NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:4.6V@136µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@75V

    连续漏极电流:114A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R165CPXKSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R165CPXKSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R165CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:3.5V@660µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7318 起订11个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7318 起订11个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7318

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€39W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2840pF@15V

    连续漏极电流:36.5A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.95mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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