采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4011SPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2747pF@20V
连续漏极电流：11.7A€76A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2V@30µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4011SPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2747pF@20V
连续漏极电流：11.7A€76A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8447L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€44W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.97nF@20V
连续漏极电流：15.2A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10V，14A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ025N04LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@20V
连续漏极电流：22A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40052EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4011SPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2747pF@20V
连续漏极电流：11.7A€76A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8447L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€44W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.97nF@20V
连续漏极电流：15.2A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10V，14A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4011SPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2747pF@20V
连续漏极电流：11.7A€76A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40052EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：18050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8447L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€44W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.97nF@20V
连续漏极电流：15.2A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10V，14A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：18050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8447L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€44W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.97nF@20V
连续漏极电流：15.2A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10V，14A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40052EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8447L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€44W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.97nF@20V
连续漏极电流：15.2A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10V，14A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8447L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€44W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.97nF@20V
连续漏极电流：15.2A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10V，14A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8447L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€44W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.97nF@20V
连续漏极电流：15.2A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10V，14A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8447L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€44W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.97nF@20V
连续漏极电流：15.2A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10V，14A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2V@30µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2V@30µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8447L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€44W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.97nF@20V
连续漏极电流：15.2A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10V，14A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：13439，"23+"：357171，"MI+"：2345}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40052EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8447L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€44W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.97nF@20V
连续漏极电流：15.2A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10V，14A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S5L2R8ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
