品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB11N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS11N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS11N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS11N50ATRLP
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS11N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB11N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3346pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS11N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3346pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS11N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3346pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-80PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3346pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS11N50ATRLP
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS11N50ATRLP
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB11N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3346pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB11N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-80PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3346pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3346pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB11N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB11N50APBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB11N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS11N50ATRLP
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS11N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS11N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS11N50APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-80PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3346pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-80PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3346pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS11N50ATRLP
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1423pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-80PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3346pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: