品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:148A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70060E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3330pF@50V
连续漏极电流:131A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR668ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@50V
连续漏极电流:23.3A€104A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU4510PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3031pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4510TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3031pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4510TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3031pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4510TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3031pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR510DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4980pF@50V
连续漏极电流:31A€126A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:148A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70060E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3330pF@50V
连续漏极电流:131A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€83.3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3762pF@50V
连续漏极电流:16.5A€67.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4510TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3031pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":250,"21+":2527}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU4510PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3031pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4510TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3031pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR668ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@50V
连续漏极电流:23.3A€104A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU4510PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3031pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€83.3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3762pF@50V
连续漏极电流:16.5A€67.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€83.3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3762pF@50V
连续漏极电流:16.5A€67.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€83.3W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3762pF@50V
连续漏极电流:16.5A€67.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR668ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@50V
连续漏极电流:23.3A€104A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR510DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4980pF@50V
连续漏极电流:31A€126A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€83.3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3762pF@50V
连续漏极电流:16.5A€67.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4510TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3031pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4510TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3031pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€83.3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3762pF@50V
连续漏极电流:16.5A€67.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70060E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3330pF@50V
连续漏极电流:131A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR668ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@50V
连续漏极电流:23.3A€104A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR668ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@50V
连续漏极电流:23.3A€104A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70060E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3330pF@50V
连续漏极电流:131A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4510TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3031pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: