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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF042N10NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：3.8V@93µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：21A€139A
类型：N沟道
导通电阻：4.25mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF042N10NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：3.8V@93µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：21A€139A
类型：N沟道
导通电阻：4.25mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD70N10F4
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5800pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF042N10NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：3.8V@93µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：21A€139A
类型：N沟道
导通电阻：4.25mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF042N10NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：3.8V@93µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：21A€139A
类型：N沟道
导通电阻：4.25mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H003SPSW-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5542pF@50V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H003SPSW-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5542pF@50V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H003SPSW-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5542pF@50V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H003SPSW-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5542pF@50V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF042N10NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：3.8V@93µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：21A€139A
类型：N沟道
导通电阻：4.25mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF042N10NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：3.8V@93µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：21A€139A
类型：N沟道
导通电阻：4.25mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H003SPSW-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5542pF@50V
连续漏极电流：166A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：IPF042N10NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：3.8V@93µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：21A€139A
类型：N沟道
导通电阻：4.25mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF042N10NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：3.8V@93µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：21A€139A
类型：N沟道
导通电阻：4.25mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF042N10NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：3.8V@93µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：21A€139A
类型：N沟道
导通电阻：4.25mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：IPF042N10NF2SATMA1
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：4.25mΩ@80A，10V
阈值电压：3.8V@93µA
栅极电荷：85nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：21A€139A
漏源电压：100V
功率：3.8W€167W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF042N10NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：3.8V@93µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：21A€139A
类型：N沟道
导通电阻：4.25mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD70N10F4
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5800pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：5.8nF@25V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
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连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
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连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
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连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF042N10NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：3.8V@93µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：21A€139A
类型：N沟道
导通电阻：4.25mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：5.8nF@25V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：IPF042N10NF2SATMA1
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：4.25mΩ@80A，10V
阈值电压：3.8V@93µA
栅极电荷：85nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：21A€139A
漏源电压：100V
功率：3.8W€167W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：5.8nF@25V
阈值电压：4V@250μA
功率：125W
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
漏源电压：100V
栅极电荷：85nC@10V
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
