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    栅极电荷
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    包装方式
    栅极电荷: 25nC@10V
    行业应用: 工业
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:1600+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7415DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7415DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7415DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订2500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订2500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTYS004N04CLTWG 起订794个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTYS004N04CLTWG 起订794个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTYS004N04CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€55W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:20A€84A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP250,135 起订4000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP250,135 起订4000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP250,135

    工作温度:150℃

    功率:1.65W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD19N10TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD19N10TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD19N10TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:15.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7415DN-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7415DN-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7415DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032N04LSATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032N04LSATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC032N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€52W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@20V

    连续漏极电流:21A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RCD100N20TL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RCD100N20TL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RCD100N20TL

    工作温度:150℃

    功率:850mW€20W

    阈值电压:5.25V@1mA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:182mΩ@5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD7P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€55W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:690mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5116PLWFTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5116PLWFTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5116PLWFTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€21W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7292 起订7个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7292 起订7个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7292

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€28W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1170pF@50V

    连续漏极电流:9A€23A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC160N10NS3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC160N10NS3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC160N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@33µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@50V

    连续漏极电流:8.8A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@33A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB4N80TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB4N80TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB4N80TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€130W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1.95A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP250,135 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP250,135 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP250,135

    工作温度:150℃

    功率:1.65W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P60Y,RQ 起订2个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK290P60Y,RQ 起订2个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK290P60Y,RQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4V@450µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R185P7AUMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R185P7AUMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL60R185P7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:81W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS3P03R2G 起订465个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS3P03R2G 起订465个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":5000,"08+":15230,"10+":47314}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS3P03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@24V

    连续漏极电流:2.34A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC80N04S6L032ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC80N04S6L032ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC80N04S6L032ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2V@18µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.29mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4939NR2G 起订748个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4939NR2G 起订748个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":182068,"16+":10540,"18+":4500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4939NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTAG 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTAG 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€40W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G23N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180P7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R180P7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R180P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1081pF@400V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS3P03R2 起订792个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS3P03R2 起订792个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":37500,"04+":2399,"08+":4610,"MI+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS3P03R2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@24V

    连续漏极电流:2.34A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ414EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ414EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ414EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ034N04LSATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ034N04LSATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ034N04LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€52W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@20V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12P60W,RVQ(S 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12P60W,RVQ(S 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ(S

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:3.7V@600µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD15N15-95-BE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD15N15-95-BE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD15N15-95-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.7W€62W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H836NWFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H836NWFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H836NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€89W

    阈值电压:4V@95µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1640pF@40V

    连续漏极电流:15A€74A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD7P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€55W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:690mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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