采购热线 400-661-9010
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT15P04D
工作温度：-55℃~+175℃
功率：50W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：930pF@20V
连续漏极电流：15A
类型：1个P沟道
反向传输电容：35pF@20V
导通电阻：29mΩ@10V，7.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.59nF@30V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@8.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840
工作温度：-55℃~+175℃
功率：60W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.57nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：730mΩ@10V，6.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：41mΩ@10V，5.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.258nF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT20P04D
工作温度：-55℃~+175℃
功率：50W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：930pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
反向传输电容：35pF@20V
导通电阻：29mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840
工作温度：-55℃~+175℃
功率：60W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.57nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：730mΩ@10V，6.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120NTRLPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@10V，5.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU120NPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@10V，5.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.7W€62W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：95mΩ@10V，15A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：41mΩ@10V，5.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：41mΩ@10V，5.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@10V，5.7A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：41mΩ@10V，5.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.7W€62W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：95mΩ@10V，15A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.7W€62W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：95mΩ@10V，15A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：41mΩ@10V，5.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4946BEY-T1-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：41mΩ@10V，5.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.258nF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840
工作温度：-55℃~+175℃
功率：60W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.57nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：730mΩ@10V，6.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4431EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.265nF@15V
连续漏极电流：10.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT20P04D
工作温度：-55℃~+175℃
功率：50W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：930pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
反向传输电容：35pF@20V
导通电阻：29mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT20P04D
工作温度：-55℃~+175℃
功率：50W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：930pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
反向传输电容：35pF@20V
导通电阻：29mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120NTRLPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@10V，5.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120NTRPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：210mΩ@10V，5.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：840pF@30V
导通电阻：41mΩ@10V，5.3A
工作温度：-55℃~+175℃
漏源电压：60V
功率：3.7W
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：6.5A
阈值电压：3V@250μA
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：840pF@30V
导通电阻：41mΩ@10V，5.3A
工作温度：-55℃~+175℃
漏源电压：60V
功率：3.7W
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：6.5A
阈值电压：3V@250μA
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：9.7A
阈值电压：4V@250μA
输入电容：330pF@25V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
导通电阻：200mΩ@10V，5.7A
漏源电压：100V
栅极电荷：25nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：840pF@30V
导通电阻：41mΩ@10V，5.3A
工作温度：-55℃~+175℃
漏源电压：60V
功率：3.7W
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：6.5A
阈值电压：3V@250μA
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
