首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    栅极电荷
    工作温度
    漏源电压
    60V
    阈值电压
    连续漏极电流
    栅极电荷: 25nC@10V
    工作温度: -55℃~+175℃
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7414CENW-T1_GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7414CENW-T1_GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:1.59nF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:41mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTWG 起订数2000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTWG 起订数2000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.2W€40W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:1.258nF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:52mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:41mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:41mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:41mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:41mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数7500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数7500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4946BEY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:41mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:41mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTWG 起订数2000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5116PLTWG 起订数2000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.2W€40W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:1.258nF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:52mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    输入电容:840pF@30V

    导通电阻:41mΩ@10V,5.3A

    工作温度:-55℃~+175℃

    漏源电压:60V

    功率:3.7W

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:6.5A

    阈值电压:3V@250μA

    类型:2个N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    输入电容:840pF@30V

    导通电阻:41mΩ@10V,5.3A

    工作温度:-55℃~+175℃

    漏源电压:60V

    功率:3.7W

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:6.5A

    阈值电压:3V@250μA

    类型:2个N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-E3 起订数12500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-E3 起订数12500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    输入电容:840pF@30V

    导通电阻:41mΩ@10V,5.3A

    工作温度:-55℃~+175℃

    漏源电压:60V

    功率:3.7W

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:6.5A

    阈值电压:3V@250μA

    类型:2个N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧