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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3-13 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3-13 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:46.9A€10.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5H610NLWFT1G 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5H610NLWFT1G 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5H610NLWFT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.6W€52W

    阈值电压:2V@40μA

    栅极电荷:13.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@30V

    连续漏极电流:13A€48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订16个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订16个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM220NB06LCR RLG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM220NB06LCR RLG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):5000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM220NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:68W

    阈值电压:1V

    栅极电荷:23nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:35A

    类型:MOSFET

    导通电阻:22mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y33-60P,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y33-60P,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y33-60P,115

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:69nC@10V

    输入电容:2.59nF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD11N06A-AU_L2_000A1 起订16个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD11N06A-AU_L2_000A1 起订16个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD11N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W€30W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:9.3nC@10V

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:11A€3.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:75mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LPSQ-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LPSQ-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LPSQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.8W€136W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    输入电容:1.925nF@30V

    连续漏极电流:11.76A€89.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB5800

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.625nF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP020N06B-F102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP020N06B-F102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP020N06B-F102

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:268nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:20.93nF@30V

    连续漏极电流:313A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:127pF@30V

    导通电阻:1.65mΩ@10V,100A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD031N06L3GATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD031N06L3GATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD031N06L3GATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:167W

    阈值电压:2.2V@93μA

    栅极电荷:79nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13nF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB5800

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.625nF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB5800

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.625nF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC011N06LM5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC011N06LM5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC011N06LM5ATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W€188W

    阈值电压:2.3V@116μA

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11nF@30V

    连续漏极电流:288A€37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M20-60ELX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M20-60ELX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M20-60ELX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:79.4W

    阈值电压:2.1V

    栅极电荷:40nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:40A

    类型:MOSFET

    导通电阻:13mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB409L

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.1W€83.3W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.953nF@30V

    连续漏极电流:5A€31.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI020N06D1 起订1000个装
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI020N06D1 起订1000个装

    品牌:DIOTEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DI020N06D1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC011N06LM5ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC011N06LM5ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC011N06LM5ATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W€188W

    阈值电压:2.3V@116μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11nF@30V

    连续漏极电流:288A€37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD025N06NATMA1 起订309个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD025N06NATMA1 起订309个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":62500,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD025N06NATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W€167W

    阈值电压:2.8V@95μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.2nF@30V

    连续漏极电流:90A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K17-60E,115 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K17-60E,115 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K17-60E,115

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:53W

    阈值电压:1.7V@1mA

    栅极电荷:16.5nC@5V

    输入电容:1.667nF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:91pF@25V

    导通电阻:14mΩ@5V,10A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI020N06D1 起订500个装
    DIOTEC Mosfet场效应管 DI020N06D1 起订500个装

    品牌:DIOTEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DI020N06D1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:25.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订25个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订25个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB409L

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.1W€83.3W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.953nF@30V

    连续漏极电流:5A€31.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB409L

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.1W€83.3W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.953nF@30V

    连续漏极电流:5A€31.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB5800 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB5800

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6.625nF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5H610NLWFT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5H610NLWFT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5H610NLWFT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.6W€52W

    阈值电压:2V@40μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@30V

    连续漏极电流:13A€48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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