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    漏源电压: 60V
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    当前匹配商品:80+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订16个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订16个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C645NT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W€80W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    输入电容:1.51nF@25V

    连续漏极电流:20A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G86N06K 起订15个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G86N06K 起订15个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G86N06K

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:77nC@10V

    输入电容:2.86nF@25V

    连续漏极电流:68A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJH600E-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJH600E-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W€3.3W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:212nC@10V

    输入电容:9.95nF@30V

    连续漏极电流:373A€37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:920mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9Z34GPBF 起订数150个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9Z34GPBF 起订数150个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:34nC@10V

    输入电容:1.1nF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:140mΩ@10V,7.2A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP55NF06FP 起订数250个
    ST Mosfet场效应管 STP55NF06FP 起订数250个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:1.3nF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:105pF@25V

    导通电阻:15mΩ@10V,27.5A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C645NT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W€80W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    输入电容:1.51nF@25V

    连续漏极电流:20A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z24SPBF 起订数200个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z24SPBF 起订数200个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W€60W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:280mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z24SPBF 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z24SPBF 起订数50个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W€60W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:280mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C645NT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W€80W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    输入电容:1.51nF@25V

    连续漏极电流:20A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP55NF06FP 起订数1250个
    ST Mosfet场效应管 STP55NF06FP 起订数1250个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:1.3nF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:105pF@25V

    导通电阻:15mΩ@10V,27.5A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0 起订1600个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0 起订1600个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C645NT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W€80W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    输入电容:1.51nF@25V

    连续漏极电流:20A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    谷峰 Mosfet场效应管 G86N06K 起订13个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G86N06K 起订13个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G86N06K

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:77nC@10V

    输入电容:2.86nF@25V

    连续漏极电流:68A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9Z34GPBF 起订数40个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9Z34GPBF 起订数40个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI9Z34GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G86N06K 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G86N06K 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G86N06K

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:88W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:77nC@10V

    输入电容:2.86nF@25V

    连续漏极电流:68A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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