采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：3.501nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，15A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4538}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS4D1N06CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：79W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：4mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT100N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：143W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：3.7nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：270pF@30V
导通电阻：6mΩ@10V，30A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB026N06N
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：2.1V
栅极电荷：66nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：2.3mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：3.501nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，15A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：3.501nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，15A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG100N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：143W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：3nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：240pF@40V
导通电阻：6.5mΩ@10V，46A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4538}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS4D1N06CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：79W
阈值电压：1.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：4mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT100N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：143W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：3.7nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：270pF@30V
导通电阻：6mΩ@10V，30A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
阈值电压：2.2V@93μA
包装方式：卷带（TR）
功率：167W
类型：1个N沟道
输入电容：13nF@30V
漏源电压：60V
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
连续漏极电流：100A
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：79nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS4D1N06CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：79W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：34nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：4mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT100N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：143W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：3.7nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：270pF@30V
导通电阻：6mΩ@10V，30A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS4D1N06CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：79W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：34nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：4mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6002LPS-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.555nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@10V，50A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：195W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：39.4nC@5V
输入电容：6.319nF@25V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB026N06N
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：2.1V
栅极电荷：66nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：2.3mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB026N06N
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：2.1V
栅极电荷：66nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：2.3mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：2.2V@93μA
栅极电荷：79nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
