采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI03026
工作温度：150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4010pF@15V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@68A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI03026
工作温度：150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4010pF@15V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@68A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW30N65M5
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2880pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：139mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW30N65M5
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2880pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：139mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW30N65M5
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2880pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：139mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW30N65M5
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2880pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：139mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW30N65M5
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2880pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：139mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW30N65M5
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2880pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：139mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：R5021ANX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2300pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@10.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW30N65M5
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2880pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：139mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
