采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF4104PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：7810}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6412ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP075N15A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7350pF@75V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP110N7F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5850pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@55A，10V
漏源电压：68V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP100N8F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
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栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5955pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP110N7F6
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功率：176W
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栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@55A，10V
漏源电压：68V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6412ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6412ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
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输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
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漏源电压：100V
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP110N7F6
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功率：176W
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输入电容：5850pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@55A，10V
漏源电压：68V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF4104PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
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包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP075N15A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
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栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7350pF@75V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：7810}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6412ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF4104PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF4104PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP075N15A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7350pF@75V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：50，"13+"：700，"14+"：4125，"18+"：125，"19+"：244，"22+"：52，"9999"：150，"MI+"：1700}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6412ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2878，"9999"：15，"MI+"：501}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP35N15G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@18.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF4104PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF4104SPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6412ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP110N7F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5850pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@55A，10V
漏源电压：68V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP075N15A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7350pF@75V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6671，"23+"：556}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF4104SPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6412ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP100N8F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5955pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP075N15A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7350pF@75V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@100A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：11000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP100N8F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5955pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6412ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF4104SPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：50，"13+"：700，"14+"：4125，"18+"：125，"19+"：244，"22+"：52，"9999"：150，"MI+"：1700}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6412ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：18.2mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
