品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86181
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4125pF@50V
连续漏极电流:44A€124A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR540ZTRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5210TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€104W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2570pF@25V
连续漏极电流:10A€55A
类型:N沟道
导通电阻:14.9mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5210TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€104W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2570pF@25V
连续漏极电流:10A€55A
类型:N沟道
导通电阻:14.9mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86163P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4085pF@50V
连续漏极电流:7.9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@7.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86163P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4085pF@50V
连续漏极电流:7.9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@7.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5210TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€104W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2570pF@25V
连续漏极电流:10A€55A
类型:N沟道
导通电阻:14.9mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1400}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR540Z
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86163P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4085pF@50V
连续漏极电流:7.9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@7.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86163P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4085pF@50V
连续漏极电流:7.9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@7.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5210TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€104W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2570pF@25V
连续漏极电流:10A€55A
类型:N沟道
导通电阻:14.9mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR540ZTRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86181
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4125pF@50V
连续漏极电流:44A€124A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5210TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€104W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2570pF@25V
连续漏极电流:10A€55A
类型:N沟道
导通电阻:14.9mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR540ZTRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: