采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€12.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.418nF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP125N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：171W
阈值电压：4V@2.1mA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：2.2nF@400V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：108mΩ@10V，12A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，6.6A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW45N60DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：210W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.92nF@100V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW45N60DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：210W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.92nF@100V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW45N60DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：210W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.92nF@100V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW45N60DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：210W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.92nF@100V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.95nF@40V
连续漏极电流：16.7A€59.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，6.6A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP125N65S3H
漏源电压：650V
栅极电荷：44nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
导通电阻：108mΩ@10V，12A
阈值电压：4V@2.1mA
连续漏极电流：24A
输入电容：2.2nF@400V
功率：171W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP125N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：171W
阈值电压：4V@2.1mA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：2.2nF@400V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：108mΩ@10V，12A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP125N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：171W
阈值电压：4V@2.1mA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：2.2nF@400V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：108mΩ@10V，12A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N65F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.57nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：18pF@25V
导通电阻：800mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N65F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.57nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：18pF@25V
导通电阻：800mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW45N60DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：210W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.92nF@100V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N65F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.57nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：18pF@25V
导通电阻：800mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N65F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.57nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：18pF@25V
导通电阻：800mΩ@10V，5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.58nF@30V
连续漏极电流：6.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，7.2A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP125N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：171W
阈值电压：4V@2.1mA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：2.2nF@400V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：108mΩ@10V，12A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP125N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：171W
阈值电压：4V@2.1mA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：2.2nF@400V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：108mΩ@10V，12A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP125N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：171W
阈值电压：4V@2.1mA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：2.2nF@400V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：108mΩ@10V，12A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9640GPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@3.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW45N60DM6
工作温度：-55℃~+150℃
功率：210W
阈值电压：4.75V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.92nF@100V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：99mΩ@15A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.58nF@30V
连续漏极电流：6.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，3.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.2nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，7.2A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
