品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP125N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:171W
阈值电压:4V@2.1mA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:2.2nF@400V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
导通电阻:108mΩ@10V,12A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW45N60DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:210W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:1.92nF@100V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW45N60DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:210W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:1.92nF@100V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STW45N60DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:210W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:1.92nF@100V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW45N60DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:210W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:1.92nF@100V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP125N65S3H
漏源电压:650V
栅极电荷:44nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
导通电阻:108mΩ@10V,12A
阈值电压:4V@2.1mA
连续漏极电流:24A
输入电容:2.2nF@400V
功率:171W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP125N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:171W
阈值电压:4V@2.1mA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:2.2nF@400V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
导通电阻:108mΩ@10V,12A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP125N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:171W
阈值电压:4V@2.1mA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:2.2nF@400V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
导通电阻:108mΩ@10V,12A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT10N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:1.57nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:18pF@25V
导通电阻:800mΩ@10V,5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT10N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:1.57nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:18pF@25V
导通电阻:800mΩ@10V,5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STW45N60DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:210W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:1.92nF@100V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT10N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:1.57nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:18pF@25V
导通电阻:800mΩ@10V,5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT10N65F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:1.57nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:18pF@25V
导通电阻:800mΩ@10V,5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP125N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:171W
阈值电压:4V@2.1mA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:2.2nF@400V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
导通电阻:108mΩ@10V,12A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP125N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:171W
阈值电压:4V@2.1mA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:2.2nF@400V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
导通电阻:108mΩ@10V,12A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP125N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:171W
阈值电压:4V@2.1mA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:2.2nF@400V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
导通电阻:108mΩ@10V,12A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI9640GPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.2nF@25V
连续漏极电流:6.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:500mΩ@3.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW45N60DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:210W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:1.92nF@100V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9640SPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W€125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.2nF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:500mΩ@6.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFI9640GPBF
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:1.2nF@25V
功率:40W
连续漏极电流:6.1A
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个P沟道
导通电阻:500mΩ@3.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: