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品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF5N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：891pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511ENJTL
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511ENJTL
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511END3TL1
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF7N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：97W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：891pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD65N160M9
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4.2V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1.239nF@400V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511ENJTL
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511END3TL1
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511END3TL1
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511END3TL1
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511END3TL1
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF5N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：891pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF5N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：891pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R400CEAUMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：112W
阈值电压：3.5V@300μA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@100V
连续漏极电流：14.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@10V，3.8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511END3TL1
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511ENJTL
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511ENJTL
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511ENJTL
功率：124W
阈值电压：4V@320μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF7N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：97W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：891pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R400CEAUMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：112W
阈值电压：3.5V@300μA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@100V
连续漏极电流：14.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@10V，3.8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
