品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB40T65SPD-F085
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:35ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:36nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB40T65SPD-F085
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:35ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:36nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":10000}
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB40T65SPD-F085
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:35ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:36nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGS60TS65DHRC11
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):90A
关断延迟时间:104ns
反向恢复时间:103ns
关断损耗:810µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:36nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,30A
导通损耗:660µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB40T65SPD-F085
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:35ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:36nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T65SPD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:35ns
反向恢复时间:35ns
关断损耗:270µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:36nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:1.16mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL40T65SPD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:35ns
反向恢复时间:35ns
关断损耗:270µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:36nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:1.16mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGS60TS65DHRC11
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):90A
关断延迟时间:104ns
反向恢复时间:103ns
关断损耗:810µJ
开启延迟时间:28ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:36nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,30A
导通损耗:660µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R125CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:98W
阈值电压:4.5V
栅极电荷:36nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R125CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:98W
阈值电压:4.5V
栅极电荷:36nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN80R280P7XKSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:36nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:17A
类型:MOSFET
导通电阻:240mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1308}
包装规格(MPQ):1700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R105CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:198W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:31A
类型:MOSFET
导通电阻:105mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R125CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:98W
阈值电压:4.5V
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPBE65R145CFD7AATMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:98W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:17A
类型:MOSFET
导通电阻:145mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2180,"22+":1297}
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R105CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:105mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD19DP10NMATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:83W
阈值电压:4V
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:13.7A
类型:MOSFET
导通电阻:186mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1401EDH-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:4A
类型:MOSFET
导通电阻:34mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R105CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:140W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:105mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":480}
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R125CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:98W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":8881,"19+":500,"9999":20,"MI+":500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN80R280P7XKSA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:17A
类型:MOSFET
导通电阻:240mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R125CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:92W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:18A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGB40T65SPD-F085
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:35ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:36nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:970µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存: