品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1401EDH-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:4A
类型:MOSFET
导通电阻:34mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1401EDH-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:4A
类型:MOSFET
导通电阻:34mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1401EDH-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:4A
类型:MOSFET
导通电阻:34mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ144EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:148W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:130A
类型:MOSFET
导通电阻:4.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1401EDH-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:4A
类型:MOSFET
导通电阻:34mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
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规格型号(MPN):SI1401EDH-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
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连续漏极电流:4A
类型:MOSFET
导通电阻:34mΩ
漏源电压:12V
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库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
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规格型号(MPN):SQJ144EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:148W
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包装方式:Reel
连续漏极电流:130A
类型:MOSFET
导通电阻:4.6mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):SI1401EDH-T1-BE3
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功率:1.6W
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:4A
类型:MOSFET
导通电阻:34mΩ
漏源电压:12V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
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规格型号(MPN):SI1401EDH-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1V
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:4A
类型:MOSFET
导通电阻:34mΩ
漏源电压:12V
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1401EDH-T1-BE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:4A
类型:MOSFET
导通电阻:34mΩ
漏源电压:12V
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规格型号(MPN):SQJ144EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:148W
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栅极电荷:36nC
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连续漏极电流:130A
类型:MOSFET
导通电阻:4.6mΩ
漏源电压:40V
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销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ144EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:148W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:130A
类型:MOSFET
导通电阻:4.6mΩ
漏源电压:40V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQJ144EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:148W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:130A
类型:MOSFET
导通电阻:4.6mΩ
漏源电压:40V
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
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栅极电荷:36nC
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类型:MOSFET
导通电阻:34mΩ
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规格型号(MPN):SQJ144EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:148W
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连续漏极电流:130A
类型:MOSFET
导通电阻:4.6mΩ
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