品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R2-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@40V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R2-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@40V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R2-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@40V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA90EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA90EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R2-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@40V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R2-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@40V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N004C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA90EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA90EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N004C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA90EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":446,"21+":2708,"22+":4780,"MI+":5845}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R2-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@40V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R2-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@40V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":446,"21+":2708,"22+":4780,"MI+":5845}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N004C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R2-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@40V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA90EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: