品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G170P03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.805nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
反向传输电容:207pF@15V
导通电阻:12mΩ@10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3R0L
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":940,"22+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":940,"22+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":940,"22+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3R0L
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3R0L
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":940,"22+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3R0L
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":655}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3R0L
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF33N60DM6
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:128mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":655}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3R0L
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF33N60DM6
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:128mΩ@12.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3R0L
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":940,"22+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G170P03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.805nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
反向传输电容:207pF@15V
导通电阻:12mΩ@10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":120}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":940,"22+":33000}
规格型号(MPN):FCPF165N65S3L1
功率:35W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
漏源电压:650V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
阈值电压:4.5V@1.9mA
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G170P03D3
连续漏极电流:20A
导通电阻:12mΩ@10V
功率:35W
漏源电压:30V
反向传输电容:207pF@15V
输入电容:1.805nF@15V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:35nC@10V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":940,"22+":33000}
规格型号(MPN):FCPF165N65S3L1
功率:35W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
漏源电压:650V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
阈值电压:4.5V@1.9mA
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G170P03D3
连续漏极电流:20A
导通电阻:12mΩ@10V
功率:35W
漏源电压:30V
反向传输电容:207pF@15V
输入电容:1.805nF@15V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:35nC@10V
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":655}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3R0L
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":120}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":120}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3R0L
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":120}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":120}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF165N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1415pF@400V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: