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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：7.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：7.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
输入电容：722pF@25V
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@10V，6A
连续漏极电流：7.1A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：650pF@25V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.1V@10μA
类型：1个N沟道
连续漏极电流：5A
导通电阻：29mΩ@4.5V，5A
栅极电荷：6.8nC@4.5V
功率：1.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
