品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10090BLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1969pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@6A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD025N06N
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€167W
阈值电压:2.8V@95µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:5200pF@30V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R5-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4461pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC016N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2.8V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@30V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:11.5A€29.5A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC016N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2.8V@95µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@30V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:107.1W€3.8W
阈值电压:3V@210μA
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:4.301nF@25V
连续漏极电流:185A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH129DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3345pF@15V
连续漏极电流:14.4A€35A
类型:P沟道
导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3411TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW38N65M5
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2144,"MI+":1582}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540NLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1960pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":35403,"23+":60000,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC016N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:2.8V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@30V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ482DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€69.4W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3345pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540NSTRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.2W€35.7W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@16.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1960pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH129DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3345pF@15V
连续漏极电流:14.4A€35A
类型:P沟道
导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":62500,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD025N06NATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€167W
阈值电压:2.8V@95μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.2nF@30V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1960pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:11.5A€29.5A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3345pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540NLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1960pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W€139W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:9.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.8W€52.1W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3345pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: