品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:107.1W€3.8W
阈值电压:3V@210μA
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:4.301nF@25V
连续漏极电流:185A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3950}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2125}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:107.1W€3.8W
阈值电压:3V@210μA
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:4.301nF@25V
连续漏极电流:185A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2125}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3950}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2125}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:107.1W€3.8W
阈值电压:3V@210μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:4.301nF@25V
连续漏极电流:185A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3950}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:107.1W€3.8W
阈值电压:3V@210μA
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:4.301nF@25V
连续漏极电流:185A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":2125}
规格型号(MPN):PSMN2R8-40BS,118
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4491pF@20V
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:2.9mΩ@10A,10V
功率:211W
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:107.1W€3.8W
阈值电压:3V@210μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:4.301nF@25V
连续漏极电流:185A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2125}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3950}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:107.1W€3.8W
阈值电压:3V@210μA
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:4.301nF@25V
连续漏极电流:185A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:107.1W€3.8W
阈值电压:3V@210μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:4.301nF@25V
连续漏极电流:185A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:107.1W€3.8W
阈值电压:3V@210μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:4.301nF@25V
连续漏极电流:185A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG
阈值电压:3V@210μA
输入电容:4.301nF@25V
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
栅极电荷:71nC@10V
连续漏极电流:185A€35A
功率:107.1W€3.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存: