品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3407SSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4459
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:46mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04P10PLGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2V@380µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04P10PLGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2V@380µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04P10PLGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2V@380µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4411
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSFC3401
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTYS025P04M8LTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€44.1W
阈值电压:3V@255µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:9.4A€32A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2319ADS-T1_BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4459
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:46mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSFC3401
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86267P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@75V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:255mΩ@2.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86267P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@75V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:255mΩ@2.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86267P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@75V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:255mΩ@2.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4459
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:46mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4449
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04P10PLGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2V@380µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2319ADS-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2319ADS-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86267P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@75V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:255mΩ@2.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4411
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTYS025P04M8LTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€44.1W
阈值电压:3V@255µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:9.4A€32A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4449
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@15V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4411
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4411
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GOOD-ARK
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GSFC3401
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: