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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS025P04M8LTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€44.1W
阈值电压：3V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS025P04M8LTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€44.1W
阈值电压：3V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS025P04M8LTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€44.1W
阈值电压：3V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8153，"MI+"：4638}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS025P04M8LTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€44.1W
阈值电压：3V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS025P04M8LTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€44.1W
阈值电压：3V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS025P04M8LTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€44.1W
阈值电压：3V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8153，"MI+"：4638}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS025P04M8LTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€44.1W
阈值电压：3V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS025P04M8LTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€44.1W
阈值电压：3V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1341，"23+"：7473}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS025P04M8LTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€44.1W
阈值电压：3V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS025P04M8LTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€44.1W
阈值电压：3V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：8153，"MI+"：4638}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS025P04M8LTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€44.1W
阈值电压：3V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS025P04M8LTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€44.1W
阈值电压：3V@255µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS025P04M8LTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€44.1W
阈值电压：3V@255µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS025P04M8LTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€44.1W
阈值电压：3V@255µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：9.4A€32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1341，"23+"：7473}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS025P04M8LTWG
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@25V
漏源电压：40V
功率：3.8W€44.1W
阈值电压：3V@255µA
连续漏极电流：9.4A€32A
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
栅极电荷：16nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
连续漏极电流：4.2A
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：850mΩ@3A，10V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：372pF@25V
类型：P沟道
栅极电荷：16nC@10V
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
