品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:29W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":417,"22+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:29W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:29W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:94W
阈值电压:4V@230μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:585mΩ@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":417,"22+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:29W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":417,"22+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:29W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H050G4BS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:119W
阈值电压:4.8V@700μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1nF@400V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H050G4BS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:119W
阈值电压:4.8V@700μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1nF@400V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H050G4BS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:119W
阈值电压:4.8V@700μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1nF@400V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:94W
阈值电压:4V@230μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:585mΩ@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:29W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:29W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:29W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3L1-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@0.29mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.01nF@400V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H050G4BS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:119W
阈值电压:4.8V@700μA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1nF@400V
连续漏极电流:34A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3L1-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@0.29mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.01nF@400V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF250N65S3L1-F154
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
阈值电压:4.5V@0.29mA
栅极电荷:24nC@10V
输入电容:1.01nF@400V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:210mΩ@10V,6A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: