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    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0120065D 起订1个装
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0120065D 起订1个装

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0120065D

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:98W

    阈值电压:3.6V@1.86mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:157mΩ@6.76A,15V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6012JNJGTL 起订25个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6012JNJGTL 起订25个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6012JNJGTL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:7V@2.5mA

    栅极电荷:28nC@15V

    输入电容:900pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:390mΩ@6A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订1000个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订1000个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订25个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订25个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0120065D 起订10个装
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0120065D 起订10个装

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0120065D

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:98W

    阈值电压:3.6V@1.86mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:157mΩ@6.76A,15V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订100个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订100个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMW120R080M1XKSA1 起订30个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMW120R080M1XKSA1 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    销售单位:

    规格型号(MPN):AIMW120R080M1XKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:5.7V@5.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1060pF@800V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@13A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0120065D 起订30个装
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0120065D 起订30个装

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0120065D

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:98W

    阈值电压:3.6V@1.86mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:157mΩ@6.76A,15V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订600个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订600个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订120个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订120个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMW120R080M1XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMW120R080M1XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AIMW120R080M1XKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:5.7V@5.6mA

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1060pF@800V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@13A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 R6012JNXC7G 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6012JNXC7G 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2018

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6012JNXC7G

    功率:60W

    阈值电压:7V@2.5mA

    栅极电荷:28nC@15V

    输入电容:900pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:390mΩ@6A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0120065D 起订1个装
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0120065D 起订1个装

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0120065D

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:98W

    阈值电压:3.6V@1.86mA

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:157mΩ@6.76A,15V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMW120R080M1XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMW120R080M1XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AIMW120R080M1XKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:5.7V@5.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1060pF@800V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@13A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订500个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订500个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订250个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订250个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0120065K 起订270个装
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0120065K 起订270个装

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0120065K

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:98W

    阈值电压:3.6V@1.86mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:157mΩ@6.76A,15V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMW120R080M1XKSA1 起订120个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMW120R080M1XKSA1 起订120个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AIMW120R080M1XKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:5.7V@5.6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1060pF@800V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@13A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订3个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订3个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 R6012JNXC7G 起订25个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6012JNXC7G 起订25个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2018

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6012JNXC7G

    功率:60W

    阈值电压:7V@2.5mA

    栅极电荷:28nC@15V

    输入电容:900pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:390mΩ@6A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6012JNJGTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6012JNJGTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6012JNJGTL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:7V@2.5mA

    栅极电荷:28nC@15V

    输入电容:900pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:390mΩ@6A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6012JNJGTL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6012JNJGTL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6012JNJGTL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:7V@2.5mA

    栅极电荷:28nC@15V

    输入电容:900pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:390mΩ@6A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMW120R080M1XKSA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMW120R080M1XKSA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AIMW120R080M1XKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:5.7V@5.6mA

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1060pF@800V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@13A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订120个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订120个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    阈值电压:2.69V@5mA

    类型:N沟道

    漏源电压:1200V

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    连续漏极电流:22A

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    功率:123W

    输入电容:730pF@800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMW120R080M1XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMW120R080M1XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AIMW120R080M1XKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:5.7V@5.6mA

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1060pF@800V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@13A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6012JNJGTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6012JNJGTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1817

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6012JNJGTL

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:160W

    阈值电压:7V@2.5mA

    栅极电荷:28nC@15V

    输入电容:900pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:390mΩ@6A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0120065K 起订10个装
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0120065K 起订10个装

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0120065K

    阈值电压:3.6V@1.86mA

    类型:N沟道

    工作温度:-40℃~175℃

    导通电阻:157mΩ@6.76A,15V

    连续漏极电流:22A

    栅极电荷:28nC@15V

    漏源电压:650V

    功率:98W

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@400V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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