品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0120065D
工作温度:-40℃~175℃
功率:98W
阈值电压:3.6V@1.86mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:640pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:157mΩ@6.76A,15V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6012JNJGTL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:7V@2.5mA
栅极电荷:28nC@15V
输入电容:900pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@6A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0120065D
工作温度:-40℃~175℃
功率:98W
阈值电压:3.6V@1.86mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:640pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:157mΩ@6.76A,15V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R080M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:5.7V@5.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1060pF@800V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@13A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0120065D
工作温度:-40℃~175℃
功率:98W
阈值电压:3.6V@1.86mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:640pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:157mΩ@6.76A,15V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R080M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:5.7V@5.6mA
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1060pF@800V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@13A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2018
销售单位:个
规格型号(MPN):R6012JNXC7G
功率:60W
阈值电压:7V@2.5mA
栅极电荷:28nC@15V
输入电容:900pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@6A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0120065D
工作温度:-40℃~175℃
功率:98W
阈值电压:3.6V@1.86mA
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:640pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:157mΩ@6.76A,15V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R080M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:5.7V@5.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1060pF@800V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@13A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0120065K
工作温度:-40℃~175℃
功率:98W
阈值电压:3.6V@1.86mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:640pF@400V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:157mΩ@6.76A,15V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R080M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:5.7V@5.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1060pF@800V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@13A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2018
销售单位:个
规格型号(MPN):R6012JNXC7G
功率:60W
阈值电压:7V@2.5mA
栅极电荷:28nC@15V
输入电容:900pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@6A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6012JNJGTL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:7V@2.5mA
栅极电荷:28nC@15V
输入电容:900pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@6A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6012JNJGTL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:7V@2.5mA
栅极电荷:28nC@15V
输入电容:900pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@6A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R080M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:5.7V@5.6mA
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1060pF@800V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@13A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
阈值电压:2.69V@5mA
类型:N沟道
漏源电压:1200V
导通电阻:192mΩ@10A,15V
连续漏极电流:22A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
功率:123W
输入电容:730pF@800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R080M1XKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:5.7V@5.6mA
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1060pF@800V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@13A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1817
销售单位:个
规格型号(MPN):R6012JNJGTL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:7V@2.5mA
栅极电荷:28nC@15V
输入电容:900pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@6A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1817
销售单位:个
规格型号(MPN):R6012JNJGTL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:7V@2.5mA
栅极电荷:28nC@15V
输入电容:900pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@6A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: