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    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q5AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q5AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17581Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:24A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q3AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q3AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17581Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€63W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD055N08NF2SATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD055N08NF2SATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD055N08NF2SATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€107W

    阈值电压:3.8V@55µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:2500pF@40V

    连续漏极电流:17A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK764R0-40E,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK764R0-40E,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK764R0-40E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:182W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4405pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STW20NM60 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW20NM60

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q5AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q5AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17581Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:24A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4160DY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4160DY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2071pF@15V

    连续漏极电流:25.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R3-40MLHX 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R3-40MLHX 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R3-40MLHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:101W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3794pF@20V

    连续漏极电流:118A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP34N65X2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP34N65X2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP34N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:96mΩ@17A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4160DY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4160DY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2071pF@15V

    连续漏极电流:25.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB055N08NF2SATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB055N08NF2SATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB055N08NF2SATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:3.8V@55µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@40V

    连续漏极电流:94A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB35N65DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB35N65DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB35N65DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT105N10T 起订6个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT105N10T 起订6个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT105N10T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:74W

    阈值电压:1.7V

    栅极电荷:54nC@10V

    输入电容:1.625nF@50V

    连续漏极电流:55A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:14pF@50V

    导通电阻:8.5mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N08NF2SAKMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N08NF2SAKMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP055N08NF2SAKMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€107W

    阈值电压:3.8V@55µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@40V

    连续漏极电流:18.5A€99A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF35N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF35N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF35N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD055N08NF2SATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD055N08NF2SATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD055N08NF2SATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€107W

    阈值电压:3.8V@55µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:2500pF@40V

    连续漏极电流:17A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD409 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD409 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD409

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€60W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@30V

    连续漏极电流:26A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N08NF2SAKMA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP055N08NF2SAKMA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP055N08NF2SAKMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€107W

    阈值电压:3.8V@55µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@40V

    连续漏极电流:18.5A€99A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q3A 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q3A 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17581Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€63W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7S2R5-40HJ 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7S2R5-40HJ 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7S2R5-40HJ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3793pF@25V

    连续漏极电流:140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.51mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86369 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86369

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@40V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4160DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4160DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2071pF@15V

    连续漏极电流:25.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60FP 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60FP 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP20NM60FP

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP20NM60 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP20NM60

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP35N60DM2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STP35N60DM2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP35N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD055N08NF2SATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD055N08NF2SATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD055N08NF2SATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€107W

    阈值电压:3.8V@55µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:2500pF@40V

    连续漏极电流:17A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB35N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB35N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB35N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06KDG-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06KDG-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06KDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€56W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:29.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP207-TL-H 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP207-TL-H 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"9999":2476}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP207-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2710pF@20V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@33A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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