采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1562，"9999"：999}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO303SPHXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@25V
连续漏极电流：7.2A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"12+"：1562，"9999"：999}
规格型号(MPN)：BSO303SPHXUMA1
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：7.2A
阈值电压：2V@100µA
功率：1.56W
输入电容：2330pF@25V
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@9.1A，10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：40mΩ@20A，10V
阈值电压：2.4V@250µA
漏源电压：60V
输入电容：3600pF@30V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
功率：2.5W€60W
栅极电荷：54nC@10V
连续漏极电流：26A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：40mΩ@20A，10V
阈值电压：2.4V@250µA
漏源电压：60V
输入电容：3600pF@30V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
功率：2.5W€60W
栅极电荷：54nC@10V
连续漏极电流：26A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：40mΩ@20A，10V
阈值电压：2.4V@250µA
漏源电压：60V
输入电容：3600pF@30V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
功率：2.5W€60W
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
连续漏极电流：26A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD409
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：29.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
