采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS1D2N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：2V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6330pF@20V
连续漏极电流：44A€258A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R035CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：351W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4354pF@400V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7658AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€89W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7350pF@15V
连续漏极电流：29A€70A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R035CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：351W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4354pF@400V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS1D2N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：2V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6330pF@20V
连续漏极电流：44A€258A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R7-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.05V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7966pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R7-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.05V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7966pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R7-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.05V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7966pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R035CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：351W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4354pF@400V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R7-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.05V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7966pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R7-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.05V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7966pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R7-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.05V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7966pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R7-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.05V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7966pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1770}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS1D2N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：2V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6330pF@20V
连续漏极电流：44A€258A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7658AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€89W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7350pF@15V
连续漏极电流：29A€70A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@28A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS1D2N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：2V@180µA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6330pF@20V
连续漏极电流：44A€258A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R035CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：351W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4354pF@400V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R035CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：351W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4354pF@400V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1770}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS1D2N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：2V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6330pF@20V
连续漏极电流：44A€258A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R035CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：351W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4354pF@400V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
