采购热线 400-661-9010
生产批次：{"03+"：2527}
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SGB15N60
ECCN：EAR99
包装方式：散装
集电极截止电流(Ices)：600V
类型：NPT(非穿通型)
导通损耗：0.57mJ
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1000}
包装规格(MPQ)：156psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3058-Z-E1-AZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2.1nF@10V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"03+"：2527}
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SGB15N60
ECCN：EAR99
包装方式：散装
集电极截止电流(Ices)：600V
类型：NPT(非穿通型)
导通损耗：0.57mJ
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"03+"：2527}
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SGB15N60
ECCN：EAR99
包装方式：散装
集电极截止电流(Ices)：600V
类型：NPT(非穿通型)
导通损耗：0.57mJ
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
工作温度：-55℃~+150℃
功率：625mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：650}
包装规格(MPQ)：156psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJJ0621DPP-E0#T2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：1.55nF@10V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：56mΩ@12.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
连续漏极电流：400mA
导通电阻：2Ω@500mA，10V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：625mW
包装方式：散装
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS270
连续漏极电流：400mA
导通电阻：2Ω@500mA，10V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：625mW
包装方式：散装
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"03+"：2527}
销售单位：个
包装规格(MPQ)：268psc
规格型号(MPN)：SGB15N60
类型：NPT(非穿通型)
导通损耗：0.57mJ
包装方式：散装
集电极截止电流(Ices)：600V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SGB15N60
ECCN：EAR99
包装方式：散装
集电极截止电流(Ices)：600V
类型：NPT(非穿通型)
导通损耗：0.57mJ
工作温度：-55℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1000}
包装规格(MPQ)：156psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3058-Z-E1-AZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2.1nF@10V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC400SMA330B4
工作温度：-55℃~+150℃
功率：131W
阈值电压：2.97V@1mA
栅极电荷：37nC@20V
包装方式：散装
输入电容：579pF@2400V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：520mΩ@5A，20V
漏源电压：3.3kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
