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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG312P
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：979}
包装规格(MPQ)：198psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3659-AZ
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1.7nF@10V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@40A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：567000}
包装规格(MPQ)：508psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2680T1E-E2-AT
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：979}
包装规格(MPQ)：198psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3659-AZ
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栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1.7nF@10V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@40A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：54000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3427-TL-E
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4V
包装方式：散装
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@2A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：84593，"06+"：1297}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG312P
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
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库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：979}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3659-AZ
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栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1.7nF@10V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@40A，10V
漏源电压：20V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：54000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3427-TL-E
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4V
包装方式：散装
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@2A，4V
漏源电压：20V
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库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：567000}
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规格型号(MPN)：UPA2680T1E-E2-AT
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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：84593，"06+"：1297}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG312P
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
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栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：330pF@10V
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类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：198psc
生产批次：{"17+"：979}
规格型号(MPN)：2SK3659-AZ
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@40A，10V
输入电容：1.7nF@10V
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：567000}
包装规格(MPQ)：508psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2680T1E-E2-AT
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3427-TL-E
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4V
包装方式：散装
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@2A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：979}
包装规格(MPQ)：198psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3659-AZ
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1.7nF@10V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@40A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：979}
包装规格(MPQ)：198psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3659-AZ
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1.7nF@10V
连续漏极电流：65A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@40A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN336P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
