品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX700N20
工作温度:150℃
功率:2.23W€40W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:散装
输入电容:6900pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:42.7mΩ@35A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ANX
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX330N25
工作温度:150℃
功率:2.23W€40W
包装方式:散装
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CAS300M12BM2
工作温度:150℃
功率:1660W
阈值电压:2.3V@15mA
包装方式:散装
输入电容:19500pF@800V
连续漏极电流:423A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:5.7mΩ@300A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX330N25
工作温度:150℃
功率:2.23W€40W
包装方式:散装
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":10,"17+":200}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3480-AZ
工作温度:150℃
功率:1.5W€84W
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3600pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):180psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SLA5064
工作温度:150℃
功率:5W
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:460pF@10V€1200pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:3个N沟道和3个P沟道(3相桥式)
导通电阻:140mΩ@5A,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1446-H
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:散装
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"18+":5,"20+":3,"21+":10}
销售单位:个
规格型号(MPN):FS50R12KE3BOSA1
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:3.5nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:NPT
工作温度:150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CAS300M12BM2
工作温度:150℃
功率:1660W
阈值电压:2.3V@15mA
包装方式:散装
输入电容:19500pF@800V
连续漏极电流:423A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:5.7mΩ@300A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":5500,"18+":9900}
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1445-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:111mΩ@8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZDX050N50
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:散装
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK8A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:840mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R8002ANX
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:12.7nC@10V
包装方式:散装
输入电容:210pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD01N
集射极击穿电压(Vceo):150V
集电极电流(Ic):10A
功率:100W
集电集截止电流(Icbo):100µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2V@6mA,6A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):5000@6A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":18594}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3821-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4200pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX300N20
工作温度:150℃
功率:2.23W€40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX700N20
工作温度:150℃
功率:2.23W€40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:散装
输入电容:6900pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:42.7mΩ@35A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX330N25
工作温度:150℃
功率:2.23W€40W
包装方式:散装
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:瑞能
分类:晶闸管
行业应用:其它
销售单位:个
规格型号(MPN):BTA316X-800CTQ
断态峰值电压(Vdrm):800V
保持电流(Ih):35mA
浪涌电流(Itsm):140A
工作温度:150℃
通态RMS电流(It(rms)):16A
门极触发电流(Igt):35mA
包装方式:散装
门极触发电压(Vgt):1V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ANX
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@7.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX700N20
工作温度:150℃
功率:2.23W€40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:散装
输入电容:6900pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:42.7mΩ@35A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX220N25
工作温度:150℃
功率:2.23W€40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3200pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":18594}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3821-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4200pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122-1
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":18594}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3821-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4200pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX200N20
工作温度:150℃
功率:2.23W€40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX700N20
工作温度:150℃
功率:2.23W€40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:散装
输入电容:6900pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:42.7mΩ@35A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: