品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZDX050N50
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:散装
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3565(Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8005ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:散装
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.08Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZDX050N50
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:散装
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX051N25
工作温度:150℃
功率:2.23W€30W
阈值电压:5.5V@1mA
栅极电荷:8.5nC@10V
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.36Ω@2.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX051N25
工作温度:150℃
功率:2.23W€30W
阈值电压:5.5V@1mA
栅极电荷:8.5nC@10V
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.36Ω@2.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX051N25
工作温度:150℃
功率:2.23W€30W
阈值电压:5.5V@1mA
栅极电荷:8.5nC@10V
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.36Ω@2.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3565(Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8005ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:散装
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.08Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZDX050N50
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.4V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:散装
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3565(Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3700(F)
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8005ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:散装
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.08Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8005ANX
工作温度:150℃
连续漏极电流:5A
功率:40W
类型:N沟道
栅极电荷:21nC@10V
阈值电压:5V@1mA
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:485pF@25V
导通电阻:2.08Ω@2.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3700(F)
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):R8005ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:散装
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.08Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):R8005ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:散装
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.08Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):200psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4017(Q)
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:散装
输入电容:730pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX051N25
工作温度:150℃
功率:2.23W€30W
阈值电压:5.5V@1mA
栅极电荷:8.5nC@10V
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.36Ω@2.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8005ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:散装
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.08Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX051N25
工作温度:150℃
功率:2.23W€30W
阈值电压:5.5V@1mA
栅极电荷:8.5nC@10V
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.36Ω@2.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):200psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4017(Q)
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:散装
输入电容:730pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3700(F)
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3700(F)
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3700(F)
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3700(F)
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3700(F)
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3700(F)
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3700(F)
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3700(F)
工作温度:150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存: