品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1446-H
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:散装
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":5500,"18+":9900}
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1445-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:111mΩ@8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":18594}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3821-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4200pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":18594}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3821-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4200pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":18594}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3821-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4200pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1900}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4099LS
工作温度:150℃
功率:2W€35W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:散装
输入电容:750pF@30V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":18594}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3821-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4200pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":21337,"17+":1500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1345-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1020pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:275mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSD1692YS
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):3A
功率:1.3W
集电集截止电流(Icbo):10µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.2V@1.5mA,1.5A
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):4000@1.5A,2V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":21337,"17+":1500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1345-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1020pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:275mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BD679AS
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.8V@40mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1900}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4099LS
工作温度:150℃
功率:2W€35W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:散装
输入电容:750pF@30V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4099LS
工作温度:150℃
功率:2W€35W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:散装
输入电容:750pF@30V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1445-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:111mΩ@8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4099LS
工作温度:150℃
功率:2W€35W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:散装
输入电容:750pF@30V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1443-H
工作温度:150℃
功率:1W€19W
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:散装
输入电容:490pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:225mΩ@3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1431-W
工作温度:150℃
功率:1W€15W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:17.3nC@10V
包装方式:散装
输入电容:960pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@5.5A,10V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3355-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:散装
输入电容:172pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:156mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1445-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:111mΩ@8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4099LS
工作温度:150℃
功率:2W€35W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:散装
输入电容:750pF@30V
连续漏极电流:6.9A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BD679AS
集射极击穿电压(Vceo):80V
集电极电流(Ic):4A
功率:40W
集电集截止电流(Icbo):500µA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.8V@40mA,2A
ECCN:EAR99
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):750@2A,3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):KSP13BU
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):500mA
功率:625mW
集电集截止电流(Icbo):100nA
特征频率:125MHz
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):1.5V@100µA,100mA
包装方式:散装
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):10000@100mA,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1458-H
工作温度:150℃
功率:1W€38W
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:散装
输入电容:65pF@20V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":18594}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3821-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4200pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: